此次新成果基于天合光能首創的210×105 mm2大面積工業級磷摻雜直拉n型硅片襯底，結合優秀的薄膜鈍化技術、背面全鈍化異質結技術、多頻率射頻技術對電池性能進行了全面提升。采用組件光陷阱技術、超高密度封裝技術及超低電阻互聯技術，使組件的光學、電學性能獲得實質性突破。

天合光能董事長兼CEO、光伏科學與技術全國重點實驗室主任高紀凡說，天合光能將持續加大對全鈍化概念電池和組件的研發力度，保持組件技術的持續領先。

這是近3個月內繼兩度刷新n型單晶硅TOPCon電池世界紀錄和創造n型單晶硅HJT電池效率世界紀錄之后，天合光能在正背面接觸結構電池組件領域取得的技術突破，超過了全背接觸(IBC)電池組件此前在單結晶體硅電池組件窗口效率25.4%的紀錄，標志著天合光能在正背接觸單結晶體硅太陽電池組件的性能研究方面達到世界最高水平。